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[1]肖厚恩,王顺利.基于磁控溅射系统的大尺寸Ga2O3薄膜沉积模型与性能研究[J].浙江理工大学学报,2024,51-52(自科三):310-318.
　XIAO Houen,WANG Shunli.Research on the deposition model and properties of large size  Ga2O3 thin films based on magnetron sputtering system[J].Journal of Zhejiang Sci-Tech University,2024,51-52(自科三):310-318.
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基于磁控溅射系统的大尺寸Ga2O3薄膜沉积模型与性能研究()
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浙江理工大学学报[ISSN:1673-3851/CN:33-1338/TS]

卷:
第51-52卷
期数:
2024年自科第三期
页码:
310-318
栏目:
出版日期:
2024-05-10

文章信息/Info

Title:
Research on the deposition model and properties of large size  Ga2O3 thin films based on magnetron sputtering system
文章编号:
1673-3851 (2024) 05-0310-09
作者:
肖厚恩; 王顺利
1.浙江理工大学，a.材料科学与工程学院；b.理学院，杭州 310018；2.浙江理工大学常山研究院有限公司，浙江 衢州 324200
Author(s):
XIAO Hou′en;  WANG Shunli
1a.School of Materials Science & Engineering; 1b.School of Science, Zhejiang Sci-Tech University, Hangzhou 310018, China; 2.Zhejiang Sci-Tech University Changshan Research Institute Co., Ltd., Quzhou 324200, China
关键词:
Ga 2O 3; 磁控溅射; 大尺寸; 倾斜圆型平面靶; Matlab
分类号:
TB43
文献标志码:
A
摘要:
薄膜型Ga2O3光电探测器具有成本低廉、性能优异、可重复性高等优点，实现Ga2O3薄膜大尺寸均匀生长对批量制备薄膜型Ga2O3光电探测器具有重要意义。为了实现大尺寸Ga2O3薄膜的高效生长，采用Matlab软件对磁控溅射系统中倾斜圆形平面靶与旋转水平工作台上Ga2O3薄膜沉积模型进行了仿真，分析了靶基距和溅射靶转动角度对薄膜性能的影响，并进行了实验验证。结果表明：靶基距的增加会提高沉积薄膜的均匀性,在一定的靶基距下溅射靶转动角度的增加会使薄膜均匀性先提高后降低，Ga2O3薄膜均匀性实验分析结果与仿真结果基本一致；在靶基距为100 mm、溅射靶转动角度为35°的条件下，在蓝宝石衬底上沉积得到了平均厚度偏差为1.27%的Ga2O3薄膜；以沉积的薄膜批量制备Ga2O3光电探测器，得到的光电探测器对254 nm的光源具有基本一致的光响应。该研究为大批量制备高质量Ga2O3薄膜探测器提供了一定的理论依据。

参考文献/References:

［1］GuoD, Guo Q, Chen Z, et al. Review of Ga2O3-based optoelectronic devices［J］. Materials Today Physics, 2019, 11(22): 100157.
［2］王丹, 王晓丹, 马海, 等. Ga2O3材料的掺杂研究进展［J］. 激光与光电子学进展, 2021, 58(15): 306-312.
［3］王江, 罗林保. 基于氧化镓日盲紫外光电探测器的研究进展［J］. 中国激光, 2021, 48(11): 7-37.
［4］ZhangM L, Liu Z, Yang L L, et al. Β -Ga2O3-based power devices: A concise review［J］. Crystals, 2022, 12(3): 406.
［5］ZhangJ C, Dong P F, Dang K, et al. Ultra-wide bandgap semiconductor Ga2O3 power diodes［J］. Nature Communications, 2022, 13(1): 3900.
［6］〖JP3〗ZhengY X, Feng Z X, Bhuiyan A F M A U, et al. Large-size free-standing single-crystal β-Ga2O3 membranes fabricated by hydrogen implantation and lift-off［J］. Journal of Materials Chemistry C, 2021, 9(19): 6180-6186.
［7］ParkS Y, Ha M T, Kim K H, et al. Enhanced thickness uniformity of large-scale α -Ga2O3 epilayers grown by vertical hot-wall mist chemical vapor deposition ［J］. Ceramics International, 2022, 48(4): 5075-5082.
［8］CiobanuV, Ceccone G, Jin I, et al. Large-sized nanocrystalline ultrathin β -Ga2O3 membranes fabricated by surface charge lithography［J］. Nanomaterials, 2022, 12(4): 689.
［9］崔岁寒, 郭宇翔, 陈秋皓, 等. 高功率脉冲磁控溅射仿真技术研究进展［J］. 中国表面工程, 2022, 35(5): 23-41.
［10］乔阳阳, 刘明雪, 刘琼溪, 等. 磁控溅射技术在纺织领域的应用研究进展［J］. 现代纺织技术,2023, 31(2): 204-217.

备注/Memo

备注/Memo:
收稿日期： 2023-03-27
网络出版日期：2024-03-13
基金项目： 国家自然科学基金项目（62274148）；浙江省自然科学基金（LY20F040005）；浙江理工大学科研启动基金资助项目（20062224-Y）
作者简介： 肖厚恩（1996-），男，湖北仙桃人，硕士研究生，主要从事半导体物理与器件方面的研究
通信作者： 王顺利，E-mail：slwang@zstu.edu.cn
更新日期/Last Update: 2024-06-19