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[1]罗列,姚晓晖,姚奎鸿. 典型分解炉中硅烷分解沉积速率的研究[J].浙江理工大学学报,2012,29(02):263-265.
　LUO Lie,YAO Xiao\|hui,YAO Kui\|hong. Deposition Rate of Polycrystalline Silicon from Monosilane Phyrolysis[J].Journal of Zhejiang Sci-Tech University,2012,29(02):263-265.
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 典型分解炉中硅烷分解沉积速率的研究()
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浙江理工大学学报[ISSN:1673-3851/CN:33-1338/TS]

卷:
第29卷
期数:
2012年02期
页码:
263-265
栏目:
(自科)纺织与服装工程
出版日期:
2012-04-28

文章信息/Info

Title:
 Deposition Rate of Polycrystalline Silicon from Monosilane Phyrolysis
文章编号:
16733851 (2012) 02026303
作者:
 罗列;  姚晓晖;  姚奎鸿
 浙江理工大学材料工程中心， 杭州 310018
Author(s):
 LUO Lie;  YAO Xiao\|hui;  YAO Kui\|hong
 Material Engineering Center, Zhejiang Sci\|Tech University, Hangzhou 310018, China
关键词:
硅烷;  多晶硅;  沉积速率
分类号:
TN304.12
文献标志码:
A
摘要:
    研究在典型硅烷分解炉中硅烷分解沉积多晶硅的沉积速率。硅烷分解沉积多晶硅实验在硅棒表面温度790～900℃、炉内气压5×104 Pa条件下，〖JP2〗探讨硅棒温度、硅烷流速与沉积速率的关系。结果显示：沉积反应活化能53.4kJ/mol。并与真空条件下沉积硅的过程进行对比，提出在典型硅烷分解炉中提高多晶硅沉积速率的可能途径。

参考文献/References:

 ［1］Odden J O, Egeberg P K, Kjekshus A. From monosilane to crystalline silicon part 1: decomposition of monosilane at 690~830 K and initial pressure 0.1~6.6 MPa in a free space reactor［J］. Solar Energy Material & Solar Cells, 2005, 86: 165\|176.
［2］ Joyce B A, Bradley R R. Epitaxial growth of silicon from the pyrolysis of monosilane on silicon substrates ［J］. Journal of the Electrochemical Society, 1963, 110(12): 1235\|1240.
［3］ Farrow R F C. The kinetics of silicon deposition on silicon by pyrolysis of silane［J］. Journal of the Electrochemical Society, 1974, 121(7): 899\|907.
［4］ Kojima T, Kinetic study of monosilane pyrolysis for polycrystalline silicon production in a fluidized bed ［J］. Journal of Chemical Engineering of Japan, 1989, 22(6): 677\|683.

备注/Memo

备注/Memo:
 收稿日期： 2010-11-22
作者简介： 罗列（1986-），男，陕西汉中人，硕士研究生，主要从事半导体材料研究。
更新日期/Last Update: