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[1]曹佳辉,朱益凡,曾良鹏,等.(100)锗单晶片的位错腐蚀研究[J].浙江理工大学学报,2017,37-38(自科5):657-661.
　CAO Jiahui,ZHU Yifan,ZENG Liangpeng,et al.Study on Dislocation of (100) Single Crystalline Germanium by Etching[J].Journal of Zhejiang Sci-Tech University,2017,37-38(自科5):657-661.
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(100)锗单晶片的位错腐蚀研究()
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浙江理工大学学报[ISSN:1673-3851/CN:33-1338/TS]

卷:
第37-38卷
期数:
2017年自科5期
页码:
657-661
栏目:
出版日期:
2017-08-30

文章信息/Info

Title:
Study on Dislocation of (100) Single Crystalline Germanium by Etching
文章编号:
1673-3851 (2017) 05-0657-05
作者:
曹佳辉; 朱益凡; 曾良鹏; 席珍强
浙江理工大学材料工程中心，杭州 310018
Author(s):
CAO Jiahui;  ZHU Yifan;  ZENG Liangpeng;  XI Zhenqiang
Matreial Engineering Center, Zhejiang Sci-Tech University, Hangzhou 310018, China
关键词:
锗单晶; 腐蚀; 抛光; 位错
分类号:
TN304.11
文献标志码:
A
摘要:
为研究锗单晶的位错，根据湿法腐蚀的腐蚀原理，通过改变氧化剂、腐蚀液成分比例、腐蚀时间、腐蚀温度，分析锗单晶腐蚀抛光过程中各个条件对于腐蚀的影响。结果显示：锗单晶在高锰酸钾氢氟酸硫酸组成的体积比为10∶9∶1的酸性腐蚀剂中，温度为60 ℃时腐蚀120 min就能达到抛光并显示位错的目的。采用湿法腐蚀必须同时存在氧化剂、络合剂才能达到很好的抛光腐蚀效果，在一定温度范围内（30～80 ℃）升高温度，腐蚀效果先改善后抑制，而腐蚀效果随着氢氟酸的加入量的增加而改善。

参考文献/References:

［1］ TAO K, WANG J, JIA R, et al. Ultralow temperature epitaxial growth of silicongermanium thin films on Si(001) using GeF4［J］. Diamond and Related Materials,2016,68:138-142.
［2］ MOSKOVSKIH V A, KASIMKIN P V, SHLEGEL V N, et al. The low thermal gradient CZ technique as a way of growing of dislocationfree germanium crystals［J］.Journalof Crystal Growth,2014,401:767-771.
［3］ 左建龙,冯德伸,李楠.锗单晶中位错密度的影响因素［J］.稀有金属,2010,34(5):726-730.
［4］ 孙晶,李昌立,于文生,等.化学腐蚀法研究Nd:YAG晶体位错［J］.人工晶体学报,2009,38(6):1320-1323.
［5］ WANG G, GUAN Y, MEI H, et al. Dislocation density control in highpurity germanium crystal growth［J］. Journal of Crystal Growth,2014,393:54-58.
［6］ 吕菲,刘春香,杨洪星,等.锗单晶片的碱性腐蚀特性分析［J］.工艺技术与材料,2007,32(11):967-969.
［7］ 吕菲,赵权,刘春香,等.Ge单晶片的酸性腐蚀特性分析［J］.半导体技术, 008(12):1077-1079.
［8］ 张亚萍. 锗单晶片的表面化学腐蚀研究［D］.杭州：浙江理工大学,2010.

相似文献/References:

[1]梁萍兰,郑忠云,张存磊,等. 快速热处理下镍对锗单晶电学性能的影响[J].浙江理工大学学报,2012,29(02):257.
　LIANG Ping\|lan,ZHENG Zhong\|yun,ZHANG Cun\|lei,et al. Effect of Nickel on the Electrical Properties of Single\|CrystallineGermanium under Rapid Thermal Processing[J].Journal of Zhejiang Sci-Tech University,2012,29(自科5):257.

备注/Memo

备注/Memo:
收稿日期： 2016-11-19
网络出版日期： 2017-03-28
基金项目： 南京中锗校企合作项目（15020329-J）
作者简介： 曹佳辉（1991-），男，浙江海宁人，硕士研究生，主要从事半导体材料方面的研究
通信作者： 席珍强，E-mail：zjuxzq@163.com
更新日期/Last Update: 2017-09-26